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口頭

X-ray absorption near edge structure of ATP thin film irradiated with soft X-rays

藤井 健太郎; 藤井 紳一郎*; 加藤 大*; 月本 光俊*; 秋光 信佳*; 成田 あゆみ; 中島 隆文*; 井出 俊太*; Salam, K. A.*; 丹羽 修*; et al.

no journal, , 

The purpose of this study is to reveal non-DNA target effects induced by ionizing radiation. We focused on radiation damage to ATP (adenosinetri-phosphate) molecule, which plays an important role in bio-energy metabolism. It has not been clarified yet whether there is a correlation between molecular alteration of ATP induced by irradiation and biological effect of damaged ATP. We measured the spectral change of X-ray absorption near edge structure (XANES) of ATP thin films before and after irradiation of soft X-rays. We observed an increment of the resonant peak at 399.5 eV by the 560 eV irradiation. The new peak production is expected to be originated from the protonation of the nucleobase (adenine residue) in ATP.

口頭

Orientation-controlled surface immobilization of alkyl molecules

成田 あゆみ; 馬場 祐治; 関口 哲弘; 下山 巖; 平尾 法恵; 矢板 毅

no journal, , 

生体分子の軟X線吸収とその結果としての分子の断片化を詳細に調べる新しい試料系として、自己組織化単分子膜(Self-assembled monolayer: SAM)に注目した。SAMは、有機高分子の薄膜材料として化学的に表面に安定に固定したものであり近年バイオセンサーなどの分野においても注目されている。本研究では、生体高分子を模擬した鎖状有機分子として、直鎖アルキル基の両端がそれぞれチオール基(-SH)及びシリコンアルコキシド基(-Si(OCH$$_{3}$$)$$_{3}$$)で終端されたメルカプトプロピルトリメトキシシラン(MPTS)分子を用い、金及びサファイア表面にSAMを作成し、界面の化学結合状態を放射光を用いたX線光電子分光法及びX線吸収微細構造法により調べた。その結果、金表面ではイオウ原子と金原子が結合し、MPTS分子はチオール基が下、アルコキシド基が上になった単分子膜を形成していることがわかった。一方、サファイア表面ではMPTS分子の向きは、金表面の場合と反対であった。以上のことから、SAMはそれが形成される表面の性質に強く依存することが明らかになった。

口頭

Chemical bonding states and electronic states of reduced graphene oxides studied by real-time photoelectron spectroscopy

渡辺 大輝*; 小川 修一*; 山口 尚登*; 穂積 英彬*; 江田 剛輝*; Mattevi, C.*; 吉越 章隆; 石塚 眞治*; 寺岡 有殿; 山田 貴壽*; et al.

no journal, , 

The reduction of graphene oxide (rGO) is the most applicable method to obtain the large-area graphene, which is used for a transparence electrode. In order to improve the electric property of rGO, the reduction process of GO must be clarified. In this study, we have investigated the vacuum-annealing induced changes of the chemical bonding states and electronic states of GO, which was treated with and without hydrazine using real-time photoelectron spectroscopy. After annealing, all of oxides and sp$$^{3}$$ components of C1s photoelectron peak decrease while sp$$^{2}$$ and defect components increase. These facts indicate that carbon vacancies are generated by reduction of GO, implying that these vacancies make rGO poor electric property. Fermi edge can be clearly observed in rGO. This result also supports the assumption that the atomic vacancies are generated in the graphene sheets.

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